集微网音讯（文/仍然）据中国科学技能大学官方音讯，物理学院郭光灿院士团队在延伸硅基自旋量子比特寿数（弛豫时刻）研讨中获得重要发展。
该团队固态量子核算研讨组郭国平教授、李海欧研讨员等人与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心王桂磊副研讨员、美国加州大学洛杉矶分校姜弘文教授和美国纽约州立大学布法罗分校胡学东教授，以及根源量子核算公司协作，在国际上初次发现了硅基自旋量子比特弛豫的强各向异性：经过改动外加磁场与硅片晶向的相对方向，能够将自旋量子比特寿数进步两个数量级以上。
据悉，硅基自旋量子比特以其超长的量子退相干时刻，以及与现代半导体工艺技能兼容的高可扩展性，成为量子核算研讨的中心方向之一。
李海欧、郭国平等人经过制备高质量的Si MOS量子点，完成了自旋量子比特的单发读出，并以此丈量技能为基础研讨了外加磁场强度和方向对自旋量子比特弛豫速率的影响。
据悉，郭国平教授研讨组长时间致力于半导体量子芯片的研发，于2014年开端展开根据自旋量子比特的硅基半导体量子核算研讨。
根源量子成立于2017年9月11日，是国内首家量子核算范畴勇于探索商业模式的公司，其技能起源于中国科学技能大学中科院量子信息要点实验室，专心量子核算全栈开发，研发各类量子芯片、量子测控、量子软件产品，打造量子核算职业生态圈。（校正/Value）
