【48812】晶振概述、参数及原理

　　Capacitance)CL：在电路中跨接晶振两头总的外界有用电容；要等于或挨近晶振数据手册给出的数值才能使晶振依照预期作业；比较一般运用的24MHz晶振负载电容是20pF；

　　静态电容C0：以石英晶片为介电资料和两个电极之间的电容；很多晶振规格里是

　　调整频偏(Frequency Tolerance)：在确认的负载电容下，振动频率的误差。

　　温度频偏(Temperature Tolerance)：高温时所带来的频率误差。一般有温度要求的，要选用10ppm。

　　鼓励功率：振动需求的功率。主控端的输出鼓励功率不能太大，正常会串电阻，避免给到晶体的鼓励功率偏大，构成晶体的损坏。

　　Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震动的。因而，在反相器的两头并联一个电阻，由电阻完结将输出的信号反向180度反应到输入端构成负反应，构成负反应扩大电路。

　　是电路扩大器（AMP）注入能量的巨细用电阻来表明（是供给功率的器材，相当于鼓励源）。

　　在石英晶体振动状况下，从石英振动体的两头看振动回路时，能以等值输入电容Ci和等值输入电阻-Ri的串联回路来表明，而石英晶体自身则成为等值的有用电感LL和有用电阻RR的串联回路。

　　量测负性阻抗：输出端串接一个可变电阻，可变电阻调至最小，上电源让电路正常动作，调整可变电阻，将之调大，直至振动器不起振，确认不起振后，再将可变电阻转小，观测波形，继续将可变电阻调小到振动器开端振动波形正常后，封闭电源，再翻开电源，若振动器仍旧能够起振，这时候可变电阻上的阻抗值再加上仪器所测得振动器单体的电阻值即为负性阻抗值。

　　若要取得安稳的振动电路，振动电路IC的负电阻值（-R）至少为晶振的5倍以上，即绝对值-R>

　　5R。举例来说：假如晶振电路阻抗总值为30Ω，那么IC的负电阻值需求至少在-150Ω，这样才能够有用保证振动回路的安稳性。

　　若负性阻抗的能量源大于振动电路的损耗时，动力回路为平衡状况，此回路为安稳振动，负性阻抗不是参数，但却是振动线路规划时很重要的功能指针。

　　振动器描绘为负性电阻 （Rn）、电路电抗 （Xc）、谐振器电抗 （XR） 和谐振器电阻 （RR） 的组合。当Rn>

　　RR时，电路将以使Xc=-XR的频率振动。

　　DL = ESR x (IQ)^2， IQ表明经过晶振电流的有用值， 经过示波器如下丈量电流 ，假如过大的话， 则要添加Rext电阻进行限流， 丈量电流的话，晶振引脚空间小，欠好操作。

　　电流IQ(RMS) = 2 π F xVRMS x Ctot，因而，能够终究靠电压来核算鼓励功率。经过示波器丈量晶振引脚的Vpp电压，及相应示波器探头的电容Cprobe, 晶振的外部负载电容CL1。

　　如下图所示，假如产品的晶体置于板边，DUT产品的高速器材就会与实验台的参阅接地板构成必定的电场，且寄生电容的存在，呈现共模辐射，寄生电容越大，共模辐射也就越强。

　　尽管晶体是辐射源头，可是晶体影响的是近场辐射，构成EMC测验的远场辐射的直接原因是电缆或产品中最大尺度与辐射频率波长可比较的导体。

　　a）附近晶体的铜皮会与晶体之间，构成电容器，即寄生电容，影响到晶体的负载电容核算。当然，只需实测晶体频偏没问题，这个寄生电容不影响到可靠性。

　　b）附近晶体的铜皮会发生热，热会影响到晶体的频偏（温度频偏）。在手机电路规划方面，会在晶体正下方挖空两层，起到隔热传递。

　　WIFI模组的尺度比较小，发送数据过程中，功率比较大，WIFI模组上的温度就比较高，就会导致WIFI模组上40MHz无源晶振频率误差变大。这种情况下，只能替换温度误差10ppm的物料。

　　某机器在可靠性开关机测验时，小概率的1%左右开不起来的现象。热风枪加热测验，不开机概率添加，负性阻抗是120欧姆，而晶体的内阻是50欧姆，也便是负性阻抗偏小，晶体振动不安稳。规划电路上的Rd改为100欧姆，测验的负性阻抗由250欧姆，从头老化开关机测验，测验OK。

　　某个产品在做EMC测验时，160MHz呈现超支，是板子上16MHz晶体的倍频。从板子上，16MHz晶体放置在PCB板上边缘。解决方案：a)16MHz晶体往板子里边移动；b)在晶体四周做guard ring，起法拉第电笼效果。

　　（法拉第电笼：由金属或良导体构成的笼子。可避免电磁场进入或逃脱笼子。原理：依据接地导体静电平衡的条件，笼体是一个等位体，内部电势差为零，电场为零，电荷分布在笼体的外表。）

　　都是6脚贴片封装,常见的尺度有7050和5032,当然SiTime还能够提

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